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Micron Lee开始记忆10 nm LPDDR5X DRAM内存时,速度高达

Home Home在6月4日报道说,Micron昨天宣布,这是该行业中第一个基于第六代10 nm水平推出LPDDR5X DRAM内存的人(主题:1γ,1伽玛,三星和SK Hynix之后1 C)。 1γLPDDR5X微米可以达到10.7Gbps的行业类别(最精确的值为1067mt/s)的数据传输速度,但与上一代的1β产品相比,可节省20%的能耗。另外,DRAM模块的厚度至少达到0.61 mm。这比微米1βLPDDR5X低14%,比其竞争对手低6%,为超薄和折叠的智能手机提供了更多的设计空间。 1γ微米过程是先前在DDR5中使用的第一个代代EUV DRM存储过程。目前,该1γLPDDR5X为指定合作伙伴提供了16 GB包装容量的样本,在2026年提供了8 GB至32 GB的宣誓率,并提供了旗舰手机。